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中贵金属工业开发了一种钌材料,其深度可提高到原来的六倍
发布时间:2020-03-06 06:12 作者:秒速飞艇

  东京。星岛2012年1月19日-亚太商业新闻-田中贵金属工业有限公司(Pay)&#;(Pay))!):东京千代田园执行董事:冈本英美(Gam&#;benEn与九州大学国立。大学工程学院应用化学部门的肖江成教授一起成功开发。电容电极可用于半导体记忆体DRAM(动态随机贮存记忆体),深度可达6倍。MOCVD(有机金属化学气相沉、积法)的目标是在2012年完成产品化。

  钌体材料用于电路线宽小于20nm(Nami)、10亿mi)、;下一代DRAM的MOCVD膜材料(前驱)。可形成40×1&#;的高深宽比(细孔深度和开口直径比);。这样,电容电极、的深度就可以达到六倍。半导体制造商预计将在2012年生产20nm至29nm的下一代半导体,通过、使用钌驱动器。它可以产生一!个微小的电容电极,因为20纳米的一代。

  由于半导体记忆体的大容量半导体制造商预计将使用存储单元对电容电。极进行深度蚀刻,以响应下一代DRAM的微!小化。在三维电极生产中,有;机会使用MOCVD生产,.然而,在过去&#;,电极薄膜的,长度和宽度比仅为6,-1,因此不可能产生20纳米的高深宽比。电容电极。这是一个技术问题。

  Mocvd的成膜原料比普通金属更容易蒸发。田中;贵金属工业是世界上第一个成功开发的钌驱动物,是一种有机化合物(环辛四烯)和金属元素(钌)合!成的有机金属错合物。由;于蒸汽压力高(成膜;时容易蒸发),所以金属的特性可以很容易地沉淀在具有40-1深宽比的细孔,中。钌膜覆盖率为70%,覆;盖率为16,5℃。钌前驱的主要优点如下。

  成功开发的钌,驱动材料可以充分供应到基板!,&#;因为它们容易挥发,因为它们的压力很高。在此,秒速飞艇情况下,细孔的前端也可以均匀;地薄膜,这种特性具有重要的特性。

  由于加热可以很容易地沉淀金属,所以可以在165℃的低温下&#;塑造薄膜&#;。这样,底材基板的损坏就可以减少成膜时的热!量。

  固体前;驱材料。与液体前驱材料形成鲜明对比。有机金属错合物主要是室温下的固体,但成&#;功开发,的钌前驱动熔点;在室温下相当低。

  通常情况下,为了促进前驱热分;解,形成纯金属薄膜,使用&#;氧气等反应促进剂(反应气体)。高反应气体容易形成、金属模具,但会对基板。氧化产生负面影响。因此,最重要的是使用氢对基板造成的损害较。小,但缺点是氢对金属薄膜的反应较低。钌材料的成功开,发也可以在氢环境中形成纯金属薄膜的钌驱动。器。

  !由于记忆组、件的尺寸。越来越小,;在电极中使用的金属薄膜也需要更高的光滑度。不均匀的粗膜不仅会导致电气特性的不均匀性,&#;而且还会导致短路(运行)和断,路。钌膜的厚度小于1.1nm,由AFM测量的RMS值和胶&#;片!厚度低于12nm的值。

  Mocvd被指定为前驱分解物(,有机成分),并;与金属薄膜混合,,以免对薄膜造成污染。成功的钌体材料对薄膜的&#;污染较小,可形成纯钌&#;薄膜(已由XPS测量和确认)。

  钌Transactions是皇家化学研究所发行的学术、杂志。在未来,该领域的贵金属工业将继;续努力改善钌前驱动的技术,以。在更高的深度和宽度的电极细孔上;涂膜。

  集团业务。内容:制造、销;售、进口和出口贵金属(白金、银和、其他)以及各种工业贵金属产品。贵金属的、回收和回收。

  、业务内容:制造、销售、进,口和出口贵金、属(白金、银和其他)以及各种工业贵金属产品。贵金属的回收和回收。

  自1885年(明治18)成立以来,田中贵金属集团一直以贵金属为中心,开展广泛的活动。2010年4,月1日,T。a、nakaHoldingsCo.L、t;d.以集团母公司的形式完成了集团组织的重组。同时,通过有效的快速管理和流动性业务,加强内部控制系统,为客户提供更、好的服务。!而与贵金属相关的&#;专家组则与公司合作,提供各种产品和服务。

  田中贵金属集团为日本最高的贵金属贸易量感到自豪,它从工业贵!金属材料的开发到,稳定的供应。多年来,贵金属储!蓄商品的、装饰和使用一直在不遗余力地;进行。田中贵金属集团今后还将以专业,团队的形式为丰富多彩的生活做出贡献。

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